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房山文献链接：PrimaryNucleation-DominatedChemicalVaporDepositionGrowthforUniformGrapheneMonolayersonDielectricSubstrate（JACS,2019,DOI:10.1021/jacs.9b05705）本文由CQR编译。（g-i）图g中的标记区域的光学图像、将建级氢相应的拉曼G峰和2D峰强度映射。
千瓦（b）基于石墨烯的FET器件的结构示意图。兴产【背景介绍】可控的制备高质量石墨烯是实现其在各领域广泛应用的重大挑战。业基（d）器件在VDS=-1V时的转移曲线。
【小结】综上所述，北京百万作者开发了一种前体修饰的化学气相沉积策略，用于在电介质基底上制备出高质量的石墨烯。房山（g-i）图a-c中石墨烯薄片的粒径的直方图。
制备的均匀单层石墨烯的FET器件表现出优异的电性能，将建级氢其载流子迁移率高达3800cm2V-1s-1。
千瓦（c）由沉积在Si封端的二氧化硅上的石墨烯纳米线组成的混合结构。外媒认为，兴产G4系列将采用亮度更高且拥有更好抗反射涂层的MLAOLED面板，C4系列则不会采用该面板。
此前，业基该系列电视出现在了AMD的FreeSync认证数据库，C4和G4将支持144Hz刷新率，VRR范围为40-144Hz。11月26日消息，北京百万据flatpanelshd消息，LG新款C4/G4OLED电视的首张照片已在韩国safetykorea认证数据库中出现
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